IRFB7446GPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

123 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

93 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

99 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

269 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

34 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

SP001566710

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

IRFB7446G, IRFB7446, IRFB744, IRFB74, IRFB7, IRFB, IRF