TSM2537CQ RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDFN22-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.6 A, 9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV, 450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

9.1 nC, 9.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

6.25 W, 6.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

N- und P-Kanal Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

28 S, 15 S

Abfallzeit:

30 ns, 68 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

41 ns, 34 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns, 69 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns, 10 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM