IPB180P04P4-03

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PG-TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

190 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

81 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

48 ns

Teil # Aliase:

IPB180P04P403ATMA1 IPB18P4P43XT SP000840202

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IPB180P04P4, IPB180P, IPB18, IPB1, IPB