IPB60R099CPA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

80 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

255 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS-CPA

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

IPB60R099CPAATMA1 IPB6R99CPAXT SP000315443

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

IPB60R099CPA, IPB60R099CP, IPB60R099C, IPB60R099, IPB60R09, IPB60R0, IPB60R, IPB60, IPB6, IPB