FJN3315RTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren – vorgespannt

RoHS:

Y

Aufbau:

Single

Polarität des Transistors:

NPN

Typischer Eingangswiderstand:

2.2 kOhms

Typisches Widerstandsverhältnis:

0.22

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3 Kinked Lead

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

33

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

Spitzen-DC-Kollektorstrom:

100 mA

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Munitionspackung

DC-Stromverstärkung hFE Max:

33

Emitter- Basisspannung VEBO:

10 V

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Typ:

Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.010088 oz

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