KSB596O

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240

Höhe:

9.4 mm (Max)

Länge:

10.1 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.7 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

30 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

200

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

KSB59, KSB5, KSB