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IXTQ30N60P

IXTQ30N60P
Mfr. #:
IXTQ30N60P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTQ30N60P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTQ30N60P DatasheetIXTQ30N60P Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3P-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
540 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
20.3 mm
Länge:
15.8 mm
Serie:
IXTQ30N60
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.9 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
25 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
20 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
29 ns
Gewichtseinheit:
0.194007 oz
Tags
IXTQ30, IXTQ3, IXTQ, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***inecomponents.com
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-3P
***ark
MOSFET, N, TO-3P; Transistor type:Standard; Voltage, Vds typ:600V; Current, Id cont:30A; Resistance, Rds on:0.24R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-3P; Capacitance, Ciss typ:5050pF; Charge, RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.24ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 540W; Transistor Case Style: TO-3P; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ: 5050pF; Junction to Case Thermal Resistance A: 0.23°C/W; N-channel Gate Charge: 82nC; Reverse Recovery Time trr Max: 500ns; Termination Type: Through Hole; Transistor Type: General Purpose; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTQ30N60P
DISTI # IXTQ30N60P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$6.2237
IXTQ30N60P
DISTI # 747-IXTQ30N60P		IXYS CorporationMOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
RoHS: Compliant		8
  • 1:$8.8800
  • 10:$7.9300
  • 25:$6.9000
  • 50:$6.7600
  • 100:$6.5100
  • 250:$5.5600
  • 500:$5.2700
  • 1000:$4.4400
Bild Teil # Beschreibung
IXTQ3N150M

Mfr.#: IXTQ3N150M

OMO.#: OMO-IXTQ3N150M

 Discrete Semiconductor Modules DiscMosfet N-CH Std-HiVoltage TO-3P (3)
IXTQ36N50P

Mfr.#: IXTQ36N50P

OMO.#: OMO-IXTQ36N50P

 MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
IXTQ36P15P

Mfr.#: IXTQ36P15P

OMO.#: OMO-IXTQ36P15P

 MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
IXTQ36N30P

Mfr.#: IXTQ36N30P

OMO.#: OMO-IXTQ36N30P

 MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
IXTQ30N60L2

Mfr.#: IXTQ30N60L2

OMO.#: OMO-IXTQ30N60L2

 MOSFET 30 Amps 600V
IXTQ32N65X

Mfr.#: IXTQ32N65X

OMO.#: OMO-IXTQ32N65X-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
IXTQ36N50P TO247

Mfr.#: IXTQ36N50P TO247

OMO.#: OMO-IXTQ36N50P-TO247-1190

 Neu und Original
IXTQ36N30P

Mfr.#: IXTQ36N30P

OMO.#: OMO-IXTQ36N30P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
IXTQ30N50L

Mfr.#: IXTQ30N50L

OMO.#: OMO-IXTQ30N50L-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V
IXTQ36N20T

Mfr.#: IXTQ36N20T

OMO.#: OMO-IXTQ36N20T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4500
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Menge
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1
8,88 $
8,88 $
10
7,93 $
79,30 $
25
6,90 $
172,50 $
50
6,76 $
338,00 $
100
6,51 $
651,00 $
250
5,56 $
1 390,00 $
500
5,27 $
2 635,00 $
1000
4,44 $
4 440,00 $
2500
3,81 $
9 525,00 $
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