IXTQ36N30P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

36 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

110 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.8 mm

Serie:

IXTQ36N30

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

97 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Gewichtseinheit:

0.194007 oz

Tags

IXTQ36N, IXTQ36, IXTQ3, IXTQ, IXT