MJE13003G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-225-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

11.04 mm

Länge:

7.74 mm

Breite:

2.66 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

8

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

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