SCT30N120H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

HiP-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 10 V to 25 V

Qg - Gate-Ladung:

105 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Pd - Verlustleistung:

270 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

SCT30N120H

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

SCT30N, SCT30, SCT3, SCT