DMC3036LSD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

36 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

4.3 nC, 6.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5.3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMC3036

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

4.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.7 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC3036, DMC303, DMC30, DMC3, DMC