NDD04N50Z-1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.7 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

61 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NDD04N5, NDD04, NDD0, NDD