APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G
Mfr. #:
APTGT50H60T1G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules DOR CC8040
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APTGT50H60T1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APTGT50H60T1G DatasheetAPTGT50H60T1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Vollbrücke
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
600 nA
Pd - Verlustleistung:
176 W
Paket / Koffer:
SP1-12
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 100 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
2.821917 oz
Tags
APTGT50H6, APTGT50H, APTGT5, APTGT, APTG, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 12-Pin Case SP1
***i-Key
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
Bild Teil # Beschreibung
APTGT50A120T1G

Mfr.#: APTGT50A120T1G

OMO.#: OMO-APTGT50A120T1G

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Mfr.#: APTGT50DH120TG

OMO.#: OMO-APTGT50DH120TG-MICROSEMI

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APTGT50DDA120T3G

Mfr.#: APTGT50DDA120T3G

OMO.#: OMO-APTGT50DDA120T3G-MICROSEMI

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 32-Pin Case SP-3
Verfügbarkeit
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Available
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