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QPD0030

QPD0030
Mfr. #:
QPD0030
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-4GHz 45W GaN 48V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD0030 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD0030 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
GaN
Gewinnen:
21.7 dB
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
-
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
-
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
-
Ausgangsleistung:
45 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
-
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
-
Pd - Verlustleistung:
45 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
QFN-20
Verpackung:
Spule
Anwendung:
Microcell-Basisstation, W-CDMA / LTE
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
DC to 4 GHz
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1132528
Tags
QPD0, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G
Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. These products provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD0030
DISTI # 772-QPD0030		QorvoRF JFET Transistors DC-4GHz 45W GaN 48V
RoHS: Compliant		175
  • 1:$33.7500
  • 25:$30.3800
  • 100:$27.3400
  • 250:$25.1500
Bild Teil # Beschreibung
OPA1678IDGKR

Mfr.#: OPA1678IDGKR

OMO.#: OMO-OPA1678IDGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps DUAL AUDIO OPAMP
SN65HVD230QDR

Mfr.#: SN65HVD230QDR

OMO.#: OMO-SN65HVD230QDR

 CAN Interface IC 3.3V CAN Transceiver
LM27761DSGR

Mfr.#: LM27761DSGR

OMO.#: OMO-LM27761DSGR

 Switching Voltage Regulators Switch Cap Boost
STEVAL-SPIN3201

Mfr.#: STEVAL-SPIN3201

OMO.#: OMO-STEVAL-SPIN3201

 Power Management IC Development Tools STSPIN32F0 Advanced BLDC controller with embedded STM32 MCU evaluation board
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
AWR1642BOOST-ODS

Mfr.#: AWR1642BOOST-ODS

OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-ODS

 RF Development Tools OBSTACLE DETECTION SENSOR USING 1642
AWR1642BOOST-ODS

Mfr.#: AWR1642BOOST-ODS

OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-ODS-TEXAS-INSTRUMENTS

 AWR1642 BOOSTER PACK
STEVAL-SPIN3201

Mfr.#: STEVAL-SPIN3201

OMO.#: OMO-STEVAL-SPIN3201-STMICROELECTRONICS

 EVAL BOARD FOR STSPIN32F0
SN65HVD230QDR

Mfr.#: SN65HVD230QDR

OMO.#: OMO-SN65HVD230QDR-TEXAS-INSTRUMENTS

 CAN Interface IC 3.3V CAN Transceive
OPA1678IDGKR

Mfr.#: OPA1678IDGKR

OMO.#: OMO-OPA1678IDGKR-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC AUDIO AMP 2 CIRCUIT 8VSSOP
Verfügbarkeit
Aktie:
264
Auf Bestellung:
2247
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
33,75 $
33,75 $
25
30,38 $
759,50 $
100
27,34 $
2 734,00 $
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