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BSM180C12P2E202

BSM180C12P2E202
Mfr. #:
BSM180C12P2E202
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM180C12P2E202 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
BSM180C12P2E202 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungshalbleitermodule
Typ:
SiC-Leistungsmodul
Vf - Durchlassspannung:
1.6 V at 180 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 22 V
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
Modul
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
BSMx
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Zerhacker
Technologie:
SiC
Marke:
ROHM Halbleiter
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Typische Verzögerungszeit:
49 ns
Abfallzeit:
32 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
204 A
Pd - Verlustleistung:
1360 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Anstiegszeit:
36 ns
Werkspackungsmenge:
4
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
139 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
49 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1200 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.6 V
Tags
BSM180C, BSM180, BSM18, BSM1, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SiC Power Modules
ROHM Semiconductor SiC power modules are Half Bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stary inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM180C12P2E202
DISTI # 33952943		ROHM Semiconductor04
  • 1:$705.0750
BSM180C12P2E202
DISTI # BSM180C12P2E202-ND		ROHM SemiconductorBSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		4In Stock
  • 1:$560.0000
BSM180C12P2E202
DISTI # C1S625901803312		ROHM SemiconductorMOSFETs4
  • 1:$553.0000
BSM180C12P2E202
DISTI # 755-BSM180C12P2E202		ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V Vdss,204A ID SiC Mod,SICSTD02
RoHS: Compliant		10
  • 1:$540.0300
  • 5:$507.4900
BSM180C12P2E202ROHM Semiconductor 3
  • 4:$787.5040
  • 2:$836.7230
  • 1:$861.3325
BSM180C12P2E202-EDEM3
DISTI # AS0000000000248		AgileSwitch 
RoHS: Compliant		2 in Stock0 on Order
  • 100:$174.2300
  • 50:$182.9400
  • 10:$191.6500
  • 1:$200.3600
BSM180C12P2E202ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V Vdss,204A ID SiC Mod,SICSTD02Americas -
    BSM180C12P2E202ROHM SemiconductorRoHS(ship within 1day)4
    • 1:$542.9700
    • 10:$523.4400
    • 50:$507.8100
    • 100:$500.0000
    • 500:$496.0900
    • 1000:$492.1900
    Bild Teil # Beschreibung
    CAS120M12BM2

    Mfr.#: CAS120M12BM2

    OMO.#: OMO-CAS120M12BM2

    		 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
    CAS300M12BM2

    Mfr.#: CAS300M12BM2

    OMO.#: OMO-CAS300M12BM2

    		 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module
    CAS300M12BM2

    Mfr.#: CAS300M12BM2

    OMO.#: OMO-CAS300M12BM2-WOLFSPEED

    		 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module
    CAS120M12BM2

    Mfr.#: CAS120M12BM2

    OMO.#: OMO-CAS120M12BM2-WOLFSPEED

    		 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1993
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    540,03 $
    5
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