CAS120M12BM2

Mfr. #:: CAS120M12BM2
Hersteller:: N/A
Beschreibung:: Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: CAS120M12BM2 Datenblatt
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ECAD Model:
Mehr Informationen:: CAS120M12BM2 Mehr Informationen

Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller:: Cree, Inc.

Produktkategorie:: Diskrete Halbleitermodule

RoHS:: Y

Produkt:: Leistungshalbleitermodule

Typ:: H-Brücken-MOSFET-Modul

Vf - Durchlassspannung:: -

Vr - Sperrspannung:: -

Montageart:: Schraubbefestigung

Paket / Koffer:: Modul

Maximale Betriebstemperatur:: -

Verpackung:: Schüttgut

Aufbau:: Halbbrücke

Höhe:: 30 mm

Länge:: 106.4 mm

Ausgangsstrom:: -

Breite:: 61.4 mm

Marke:: Wolfspeed / Cree

Gate-Triggerstrom - Igt:: -

Haltestrom Ih max:: -

Typische Verzögerungszeit:: -

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:: 193 A

Wenn - Vorwärtsstrom:: -

Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:: -

Betriebsversorgungsspannung:: -

Produktart:: Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:: 13 mOhms

Werkspackungsmenge:: 1

Unterkategorie:: Diskrete Halbleitermodule

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:: 1.2 kV

Tags: CAS12, CAS1, CAS

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CAS120M12BM2 Beschreibung

***ical: Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin

***Components: DUAL N-CHAN SIC MOSFET MODULE 1200V 138A

***ark: MOSFET, DUAL N-CH, 1.2KV, 193A, MODULE

***i-Key: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

***hardson RFPD: SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

CAS120M12BM2 Mehr Informationen

CAS120M12BM2 SiC Half-Bridge Power Module: Cree's CAS120M12BM2 SiC Half-Bridge Power Module features Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ Diode technology. This Silicon Carbide module offers ultra low losses with high efficiency operation. It also features zero reverse recovery current and zero turn-off tail current. The module enables compact and lightweight systems with reduced cooling requirements and thus reduced system cost. The SiC Six-Pack Power Module is ideal for applications such as induction heating, solar and wind inverters, DC/DC converters, line regen drives, and battery chargers.Learn More

Market price

Teil #	Mfg.	Beschreibung	Aktie	Preis
CAS120M12BM2-62EM1 DISTI # 27183649	AgileSwitch	CAS120M12BM2-62EM1	19	1:$303.5758
CGD15HB62P1 DISTI # CGD15HB62P1-ND	Wolfspeed	EVAL MODULE 1200V SIC MOSFET RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Box	119In Stock	1:$199.0000
CAS120M12BM2 DISTI # CAS120M12BM2-ND	Wolfspeed	MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Bulk	On Order	1:$330.0000
CAS120M12BM2 DISTI # 941-CAS120M12BM2	Cree, Inc.	Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module RoHS: Compliant	0	1:$330.0000
CAS120M12BM2 DISTI # 9163879	Cree, Inc.	DUAL N-CHAN SIC MOSFET MODULE 1200V 138A, EA	27	1:£311.7000 5:£288.3200 10:£280.7400 25:£273.5400
CAS120M12BM2 DISTI # CAS120M12BM2	Wolfspeed	SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES RoHS: Compliant	0	1:$330.0000 51:$324.6800 101:$316.4500
CAS120M12BM2-62EM1 DISTI # AS0000000000009	AgileSwitch	RoHS: Compliant	19	1:$200.3600 10:$191.6500 50:$182.9400 100:$174.2300
CAS120M12BM2 DISTI # 2630836	Wolfspeed	MOSFET, DUAL N-CH, 1.2KV, 193A, MODULE RoHS: Compliant	0	1:£263.0000 5:£258.0000

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Bild	Teil #	Beschreibung
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	Mfr.#: MT29F4G08ABAFAWP-IT:F OMO.#: OMO-MT29F4G08ABAFAWP-IT-F	NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
	Mfr.#: BSM180C12P2E202 OMO.#: OMO-BSM180C12P2E202	Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
	Mfr.#: VS-160MT160KPBF OMO.#: OMO-VS-160MT160KPBF	Bridge Rectifiers 1600 Volt 160 Amp
	Mfr.#: C3D25170H OMO.#: OMO-C3D25170H	Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 25A
	Mfr.#: CGD15HB62P1 OMO.#: OMO-CGD15HB62P1	Power Management IC Development Tools Gate Driver Evaluation Board
	Mfr.#: LPC55S69-EVK OMO.#: OMO-LPC55S69-EVK-NXP-SEMICONDUCTORS	LPCXPRESSO LPC55S6X EVAL BRD
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Verfügbarkeit

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