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IPP65R190CFDXKSA2

IPP65R190CFDXKSA2
Mfr. #:
IPP65R190CFDXKSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improve
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPP65R190CFDXKSA2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IPP65R190CFDXKSA2 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
17.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
190 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
68 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
151 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
CoolMOS
Verpackung:
Rohr
Serie:
CFD2
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
6.4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
8.4 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
53.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns
Teil # Aliase:
IPP65R190CFD
Tags
IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R19, IPP65R1, IPP65, IPP6, IPP
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
CoolMOS™ Power Transistors
Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPP65R190CFDXKSA2
DISTI # IPP65R190CFDXKSA2-ND		Infineon Technologies AGHIGH POWER_LEGACY
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 500:$1.9346
IPP65R190CFDXKSA2
DISTI # IPP65R190CFDXKSA2		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: IPP65R190CFDXKSA2)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Americas - 0
  • 2000:$1.3900
  • 3000:$1.3900
  • 5000:$1.3900
  • 500:$1.4900
  • 1000:$1.4900
IPP65R190CFDXKSA2
DISTI # 726-IPP65R190CFDXKSA		Infineon Technologies AGMOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
RoHS: Compliant		0
  • 500:$1.8400
  • 1000:$1.5500
  • 2500:$1.4700
  • 5000:$1.4200
Bild Teil # Beschreibung
IPP65R190CFDAAKSA1

Mfr.#: IPP65R190CFDAAKSA1

OMO.#: OMO-IPP65R190CFDAAKSA1

 MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3
IPP65R190C7

Mfr.#: IPP65R190C7

OMO.#: OMO-IPP65R190C7

 MOSFET HIGH POWER_NEW
IPP65R190C7FKSA1

Mfr.#: IPP65R190C7FKSA1

OMO.#: OMO-IPP65R190C7FKSA1

 MOSFET HIGH POWER_NEW
IPP65R190C6XKSA1

Mfr.#: IPP65R190C6XKSA1

OMO.#: OMO-IPP65R190C6XKSA1

 MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
IPP65R190CFDXKSA1

Mfr.#: IPP65R190CFDXKSA1

OMO.#: OMO-IPP65R190CFDXKSA1

 MOSFET HIGH POWER_LEGACY
IPP65R190C6

Mfr.#: IPP65R190C6

OMO.#: OMO-IPP65R190C6-1190

 MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
IPP65R190CFD

Mfr.#: IPP65R190CFD

OMO.#: OMO-IPP65R190CFD-1190

 MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
IPP65R190CFD,65R190C

Mfr.#: IPP65R190CFD,65R190C

OMO.#: OMO-IPP65R190CFD-65R190C-1190

 Neu und Original
IPP65R190CFDXKSA1

Mfr.#: IPP65R190CFDXKSA1

OMO.#: OMO-IPP65R190CFDXKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IPP65R190E6

Mfr.#: IPP65R190E6

OMO.#: OMO-IPP65R190E6-1190

 MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
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Der aktuelle Preis von IPP65R190CFDXKSA2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
500
1,84 $
920,00 $
1000
1,55 $
1 550,00 $
2500
1,47 $
3 675,00 $
5000
1,42 $
7 100,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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