IRF630NLPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

300 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

82 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.9 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.9 ns

Teil # Aliase:

SP001559690

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF