DMN61D8LVTQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

630 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

740 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.09 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

DMN61

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Abfallzeit:

440 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

301 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

582 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

131 ns

Tags

DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN