SSM3J168F,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-346-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

400 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V, - 20 V

Qg - Gate-Ladung:

3 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1200 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SSM3J168F

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.3 ns

Gewichtseinheit:

0.004233 oz

Tags

SSM3J16, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM