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SIHF9540S-GE3

SIHF9540S-GE3
Mfr. #:
SIHF9540S-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHF9540S-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
200 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
61 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Serie:
SIH
Transistortyp:
1 P-Channel
Marke:
Vishay / Siliconix
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
6.2 S
Abfallzeit:
57 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
73 ns
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
16 ns
Tags
SIHF95, SIHF9, SIHF, SIH
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
SIHF9520S-GE3

Mfr.#: SIHF9520S-GE3

OMO.#: OMO-SIHF9520S-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF9540S-GE3

Mfr.#: SIHF9540S-GE3

OMO.#: OMO-SIHF9540S-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF9540PBF

Mfr.#: SIHF9540PBF

OMO.#: OMO-SIHF9540PBF

 MOSFET -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
Verfügbarkeit
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Available
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