NTUD3127CT5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 mOhms, 5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.37 mm

Länge:

1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

0.8 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

350 mS, 260 mS

Abfallzeit:

60 nS, 97 nS

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 nS, 37 nS

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 nS, 112 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 nS, 20 nS

Tags

NTUD312, NTUD3, NTUD, NTU