NTUD3171PZT5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.37 mm

Länge:

1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

Kleinsignal-MOSFET

Breite:

0.8 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.35 S

Abfallzeit:

145 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

46 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

196 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Tags

NTUD317, NTUD3, NTUD, NTU