TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX
Mfr. #:
TK39A60W,S4VX
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK39A60W,S4VX Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220FP-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
38.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
55 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
110 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
50 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Verpackung:
Spule
Höhe:
15 mm
Länge:
10 mm
Serie:
TK39A60W
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
9 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
50 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
200 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
80 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK39A60, TK39A, TK39, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
***
MOSFET TRAN DTMOS TO-220SIS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK39A60W,S4VX
DISTI # TK39A60WS4VX-ND
Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
225In Stock
  • 500:$6.6495
  • 100:$7.9365
  • 50:$8.7946
  • 1:$10.7300
TK39A60W,S4VX
DISTI # TK39A60W,S4VX
Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK39A60W,S4VX)
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube
Americas - 0
  • 50:$6.0900
  • 100:$5.6900
  • 200:$5.3900
  • 300:$5.0900
  • 500:$4.9900
TK39A60W,S4VX(M
DISTI # TK39A60W,S4VX(M
Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK39A60W,S4VX(M)
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Asia - 0
    TK39A60W,S4VX
    DISTI # 757-TK39A60WS4VX
    Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
    RoHS: Compliant
    140
    • 1:$9.7500
    • 10:$8.7800
    • 50:$8.0000
    • 100:$7.2200
    • 250:$6.6400
    • 500:$6.0500
    • 1000:$5.2700
    TK39A60W,S4VX(M
    DISTI # 8962366
    Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/39ATO220, EA15
    • 1:£3.9900
    • 5:£2.3100
    • 10:£2.2500
    • 25:£2.1900
    • 50:£2.1600
    TK39A60WS4VXToshiba America Electronic ComponentsMOSFET MOSFET TRAN DTMOS TO-220SIS
    RoHS: Compliant
    Americas -
    • 50:$7.5000
    • 100:$6.7200
    • 250:$6.2850
    • 500:$6.0450
    TK39A60W,S4VXToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
    RoHS: Compliant
    Americas -
    • 50:$7.5000
    • 100:$6.7200
    • 250:$6.2850
    • 500:$6.0450
    Bild Teil # Beschreibung
    CPC9909NE

    Mfr.#: CPC9909NE

    OMO.#: OMO-CPC9909NE

    LED Lighting Drivers 8V-550V 2.5W
    STPSC10H065DY

    Mfr.#: STPSC10H065DY

    OMO.#: OMO-STPSC10H065DY

    Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
    RST 4 AMMO

    Mfr.#: RST 4 AMMO

    OMO.#: OMO-RST-4-AMMO

    Fuses with Leads (Through Hole)
    RST 4 AMMO

    Mfr.#: RST 4 AMMO

    OMO.#: OMO-RST-4-AMMO-BEL

    Fuses with Leads (Through Hole)
    C3216C0G2J102J085AA

    Mfr.#: C3216C0G2J102J085AA

    OMO.#: OMO-C3216C0G2J102J085AA-TDK

    Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 1000pF 630volts C0G 5%
    CPC9909NE

    Mfr.#: CPC9909NE

    OMO.#: OMO-CPC9909NE-IXYS-INTEGRATED-CIRCUITS-DIVIS

    Neu und Original
    STPSC10H065DY

    Mfr.#: STPSC10H065DY

    OMO.#: OMO-STPSC10H065DY-STMICROELECTRONICS

    Schottky Diodes & Rectifiers RECTIFIER
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    120
    Auf Bestellung:
    2103
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    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    9,75 $
    9,75 $
    10
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    87,80 $
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