BSC018N04LSGXT

BSC018N04LSGXT
Mfr. #:
BSC018N04LSGXT
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSC018N04LSGXT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TDSON-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
150 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
125 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.27 mm
Länge:
5.9 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.15 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
90 S
Abfallzeit:
9 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
7.4 ns
Werkspackungsmenge:
5000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
13 ns
Teil # Aliase:
BSC018N04LS BSC018N04LSGATMA1 G SP000388293
Tags
BSC018N04LSG, BSC018N0, BSC018, BSC01, BSC0, BSC
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Packaging Boxes
*** Electronic Components
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSC018N04LSGATMA1
DISTI # V72:2272_06383456
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
RoHS: Compliant
0
    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # V36:1790_06383456
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
    RoHS: Compliant
    0
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    • 2500000:$0.4487
    • 500000:$0.4750
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    • 5000:$0.5300
    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # BSC018N04LSGATMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    7068In Stock
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    • 1:$1.5900
    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # BSC018N04LSGATMA1DKR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    7068In Stock
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    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # BSC018N04LSGATMA1TR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
    Min Qty: 5000
    Container: Tape & Reel (TR)
    5000In Stock
    • 5000:$0.6218
    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # 35171897
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
    RoHS: Compliant
    880
    • 95:$0.6625
    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # BSC018N04LSGATMA1
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC018N04LSGATMA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 5000
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 50000:$0.4749
    • 30000:$0.4829
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    • 10000:$0.5189
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    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # SP000388293
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP (Alt: SP000388293)
    Min Qty: 5000
    Europe - 0
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    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # 60R2476
    Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:100A,Drain Source Voltage Vds:40V,On Resistance Rds(on):0.0015ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:-,Power RoHS Compliant: Yes
    RoHS: Compliant
    6311
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    • 2500:$0.6000
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    • 10:$1.2500
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    BSC018N04LS G
    DISTI # 726-BSC018N04LSG
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant
    6021
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    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # BSC018N04LSGATMA1
    Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,40V,100A,125W,PG-TDSON-8445
    • 1000:$1.2033
    • 100:$1.2924
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    BSC018N04LSGATMA1
    DISTI # 1775426
    Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8
    RoHS: Compliant
    5706
    • 5000:£0.5550
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    • 10:£1.3600
    • 1:£1.6800
    Bild Teil # Beschreibung
    BSC018NE2LSI

    Mfr.#: BSC018NE2LSI

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LSI

    MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
    BSC018N04LSGXT

    Mfr.#: BSC018N04LSGXT

    OMO.#: OMO-BSC018N04LSGXT

    MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
    BSC018N04LSGXT

    Mfr.#: BSC018N04LSGXT

    OMO.#: OMO-BSC018N04LSGXT-1190

    MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
    BSC018N04LSG-S

    Mfr.#: BSC018N04LSG-S

    OMO.#: OMO-BSC018N04LSG-S-1190

    Neu und Original
    BSC018NE2L

    Mfr.#: BSC018NE2L

    OMO.#: OMO-BSC018NE2L-1190

    Neu und Original
    BSC018NE2LSI

    Mfr.#: BSC018NE2LSI

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LSI-1190

    Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    BSC018NE2LSI BSC018NE2LS

    Mfr.#: BSC018NE2LSI BSC018NE2LS

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LSI-BSC018NE2LS-1190

    Neu und Original
    BSC018NE2LSIATMA1

    Mfr.#: BSC018NE2LSIATMA1

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LSIATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
    BSC018NE2LSATMA1

    Mfr.#: BSC018NE2LSATMA1

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LSATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
    BSC018NE2LS

    Mfr.#: BSC018NE2LS

    OMO.#: OMO-BSC018NE2LS-317

    RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5000
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