DMN2015UFDF-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

19.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.9 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.7 ns

Tags

DMN2015, DMN201, DMN20, DMN2, DMN