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IXTQ82N25P

IXTQ82N25P
Mfr. #:
IXTQ82N25P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTQ82N25P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTQ82N25P DatasheetIXTQ82N25P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3P-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
250 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
82 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
500 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
20.3 mm
Länge:
15.8 mm
Serie:
IXTQ82N25
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.9 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
22 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
20 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
78 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
29 ns
Gewichtseinheit:
0.194007 oz
Tags
IXTQ8, IXTQ, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-channel 250 V 82 A PolarHT Power MOSFET - TO-3P
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
***trelec
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-3P Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 500 W
***i-Key
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTQ82N25P
DISTI # IXTQ82N25P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$5.1867
IXTQ82N25P
DISTI # 747-IXTQ82N25P		IXYS CorporationMOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
RoHS: Compliant		118
  • 1:$8.1400
  • 10:$7.2700
  • 25:$5.1800
  • 50:$5.1300
  • 100:$5.1100
  • 250:$5.0900
  • 500:$4.8300
  • 1000:$4.0700
IXTQ82N25P
DISTI # IXTQ82N25P		IXYS CorporationTransistor: N-MOSFET,PolarHT™,unipolar,250V,82A,500W,TO3P18
  • 1:$5.2700
  • 3:$4.7400
  • 10:$4.1900
  • 30:$3.7700
Bild Teil # Beschreibung
NGTB40N120S3WG

Mfr.#: NGTB40N120S3WG

OMO.#: OMO-NGTB40N120S3WG

 IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
4-2328724-5

Mfr.#: 4-2328724-5

OMO.#: OMO-4-2328724-5

 FFC & FPC Connectors 45 PIN FPC CONNECTOR 0.3mmP FRONT FLIP
CRCW12063R30FKEAC

Mfr.#: CRCW12063R30FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW12063R30FKEAC

 Thick Film Resistors - SMD 1/4Watt 3.3ohms 1% Commercial Use
20021321-00016C4LF

Mfr.#: 20021321-00016C4LF

OMO.#: OMO-20021321-00016C4LF

 Headers & Wire Housings 1.27x1.27mm BTB, Hdr Recept, SMT, 16 Pos
EXV337M035S9PAA

Mfr.#: EXV337M035S9PAA

OMO.#: OMO-EXV337M035S9PAA

 Aluminum Electrolytic Capacitors - SMD 35V 330uF 20% AEC-Q200
RDER72H105MUB1H03B

Mfr.#: RDER72H105MUB1H03B

OMO.#: OMO-RDER72H105MUB1H03B-MURATA-ELECTRONICS

 Cap Ceramic 1uF 500V X7R 20% Radial 5mm 125C Bulk
20021321-00016C4LF

Mfr.#: 20021321-00016C4LF

OMO.#: OMO-20021321-00016C4LF-AMPHENOL-ICC

 Headers & Wire Housings 16P RCPT 1.27x1.27MM BTB SMT
046296045931846+

Mfr.#: 046296045931846+

OMO.#: OMO-046296045931846--1190

 Neu und Original
CRCW12063R30FKEAC

Mfr.#: CRCW12063R30FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW12063R30FKEAC-VISHAY-DALE

 D25/CRCW1206-C 100 3R3 1% ET1
NGTB40N120S3WG

Mfr.#: NGTB40N120S3WG

OMO.#: OMO-NGTB40N120S3WG-ON-SEMICONDUCTOR

 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verfügbarkeit
Aktie:
105
Auf Bestellung:
2088
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,14 $
8,14 $
10
7,27 $
72,70 $
25
5,18 $
129,50 $
50
5,13 $
256,50 $
100
5,11 $
511,00 $
250
5,09 $
1 272,50 $
500
4,83 $
2 415,00 $
1000
4,07 $
4 070,00 $
2500
3,49 $
8 725,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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