SI4403DDY-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

66 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

45 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

SI4403D, SI4403, Si440, SI44, SI4