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IXDH20N120D1

IXDH20N120D1
Mfr. #:
IXDH20N120D1
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 20 Amps 1200V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXDH20N120D1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDH20N120D1 DatasheetIXDH20N120D1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-247-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1.2 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.4 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
38 A
Pd - Verlustleistung:
200 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXDH20N120
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
50 A
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
38 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
500 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXDH20N120D, IXDH2, IXDH, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***trelec
IGBT Housing type: TO-247AD Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.4 V Current release time: 70 ns Power dissipation: 200 W
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXDH20N120D1
DISTI # 24328028		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		180
  • 100:$4.6464
  • 50:$4.7916
  • 25:$4.9462
  • 3:$5.1111
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 38A 200W TO247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.3187
IXDH20N120D1
DISTI # C1S331700016274		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		180
  • 100:$6.4100
  • 50:$6.9300
  • 25:$7.5500
  • 10:$7.7200
  • 1:$11.3000
IXDH20N120D1
DISTI # 747-IXDH20N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 20 Amps 1200V
RoHS: Compliant		68
  • 1:$8.9200
  • 10:$8.0300
  • 25:$7.3200
  • 50:$6.6900
  • 100:$6.6100
  • 250:$6.0200
  • 500:$5.5300
  • 1000:$4.8200
IXDH20N120D1
DISTI # 192657		IXYS CorporationTRANSISTOR IGBT N-CH 1.2KV 38A TO247AD, EA94
  • 1:£6.0700
  • 5:£5.7700
  • 20:£5.4900
  • 50:£5.2400
  • 100:£4.5500
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1		IXYS CorporationTransistor: IGBT,1.2kV,25A,200W,TO247AD32
  • 1:$8.8400
  • 3:$8.0100
  • 10:$6.4500
  • 30:$6.1300
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1		IXYS Corporation1200V 38A 200W TO247AD
RoHS: Compliant		25
  • 1:€8.1500
  • 5:€5.1500
  • 30:€4.1500
  • 60:€4.0000
Bild Teil # Beschreibung
HS100 50R J

Mfr.#: HS100 50R J

OMO.#: OMO-HS100-50R-J

 Wirewound Resistors - Chassis Mount Wirewound Resistors
HS100 50R J

Mfr.#: HS100 50R J

OMO.#: OMO-HS100-50R-J-OHMITE

 Wirewound Resistors - Chassis Mount Wirewound Resistors
Verfügbarkeit
Aktie:
30
Auf Bestellung:
2013
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Der aktuelle Preis von IXDH20N120D1 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,92 $
8,92 $
10
8,03 $
80,30 $
25
7,32 $
183,00 $
50
6,69 $
334,50 $
100
6,61 $
661,00 $
250
6,02 $
1 505,00 $
500
5,53 $
2 765,00 $
1000
4,82 $
4 820,00 $
2500
4,76 $
11 900,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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