TSM5055DCR RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A, 107 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.8 mOhms, 2.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9.3 nC, 49 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W, 69 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

Asymmetrischer Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

27 S, 47 S

Abfallzeit:

14 ns, 49 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns, 79 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.2 ns, 34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.8 ns, 11 ns

Tags

TSM50, TSM5, TSM