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APTCV40H60CT1G

APTCV40H60CT1G
Mfr. #:
APTCV40H60CT1G
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules DOR CC8004
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APTCV40H60CT1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Vollbrücke
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
80 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
600 nA
Pd - Verlustleistung:
176 W
Paket / Koffer:
SP1-12
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 100 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
2.821917 oz
Tags
APTCV, APTC, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
***ark
PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP1 SP1 Tube RoHS Compliant: Yes
***rochip SCT
High Voltage Power Module, Full bridge, RoHS
Bild Teil # Beschreibung
APTCV40H60CT1G

Mfr.#: APTCV40H60CT1G

OMO.#: OMO-APTCV40H60CT1G

 IGBT Modules DOR CC8004
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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