BSC105N10LSF G

BSC105N10LSF G
Mfr. #:
BSC105N10LSF G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSC105N10LSF G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TDSON-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
156 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.27 mm
Länge:
5.9 mm
Serie:
OptiMOS 2
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.15 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
26 ns
Werkspackungsmenge:
5000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Teil # Aliase:
BSC105N10LSFGATMA1 BSC15N1LSFGXT SP000388502
Tags
BSC105N10LSF, BSC105, BSC10, BSC1, BSC
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSC105N10LSFGATMA1
DISTI # BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
3275In Stock
  • 1000:$1.7776
  • 500:$2.1078
  • 100:$2.6030
  • 10:$3.1740
  • 1:$3.5600
BSC105N10LSFGATMA1
DISTI # BSC105N10LSFGATMA1DKR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
3275In Stock
  • 1000:$1.7776
  • 500:$2.1078
  • 100:$2.6030
  • 10:$3.1740
  • 1:$3.5600
BSC105N10LSFGATMA1
DISTI # BSC105N10LSFGATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)
On Order
  • 5000:$1.5779
BSC105N10LSFGATMA1
DISTI # BSC105N10LSFGATMA1
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC105N10LSFGATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Reel
Americas - 0
  • 5000:$1.5900
  • 10000:$1.4900
  • 20000:$1.4900
  • 30000:$1.3900
  • 50000:$1.3900
BSC105N10LSFGATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
3850
  • 1000:$1.3000
  • 500:$1.3700
  • 100:$1.4300
  • 25:$1.4900
  • 1:$1.6000
BSC105N10LSF G
DISTI # 726-BSC105N10LSFG
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
RoHS: Compliant
2387
  • 1:$2.9700
  • 10:$2.5300
  • 100:$2.1900
  • 250:$2.0800
  • 500:$1.8700
Bild Teil # Beschreibung
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Mfr.#: TLV2172IDR

OMO.#: OMO-TLV2172IDR

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TPS259520DSGR

Mfr.#: TPS259520DSGR

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Mfr.#: ADUM121N0BRZ

OMO.#: OMO-ADUM121N0BRZ

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Mfr.#: FDT86246L

OMO.#: OMO-FDT86246L

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LM431AIM3/NOPB

Mfr.#: LM431AIM3/NOPB

OMO.#: OMO-LM431AIM3-NOPB

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ADR3430ARJZ-R2

Mfr.#: ADR3430ARJZ-R2

OMO.#: OMO-ADR3430ARJZ-R2

Voltage References Micro-Power High-Acc 3V
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Mfr.#: TPS62097RWKR

OMO.#: OMO-TPS62097RWKR

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Mfr.#: TCAN1042HGVDR

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Mfr.#: TCAN1042HGVDR

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ADUM121N0BRZ

Mfr.#: ADUM121N0BRZ

OMO.#: OMO-ADUM121N0BRZ-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
2,96 $
2,96 $
10
2,52 $
25,20 $
100
2,18 $
218,00 $
250
2,07 $
517,50 $
500
1,86 $
930,00 $
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