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IXFH30N40Q

IXFH30N40Q
Mfr. #:
IXFH30N40Q
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH30N40Q Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH30N40Q Datasheet
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
400 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
160 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
300 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Serie:
IXFH30N40
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
12 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
35 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
51 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
25 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXFH30, IXFH3, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***th Star Micro
MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
***ark
MOSFET, N, TO-247; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:400V; Current, Id cont:30A; Resistance, Rds on:0.16R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4V; Case style:TO-247; Charge, gate n-channel:95nC; Current, RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 300W; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.5J; Current Temperature: 25°C; Full Power Rating Temperature: 25°C; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Junction Temperature Tj Min: -55°C; N-channel Gate Charge: 95nC; No. of Transistors: 1; On State Resistance Max: 160mohm; Pulse Current Idm: 120A; Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max: 30mJ; Reverse Recovery Time trr Typ: 250ns; Termination Type: Through Hole; Voltage Vds Typ: 400V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V; Weight: 6g
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH30N40Q
DISTI # IXFH30N40Q-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 400V 30A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFH30N40Q
    DISTI # 747-IXFH30N40Q    		IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
    RoHS: Compliant    		0
    • 30:$8.2000
    • 60:$7.6200
    • 120:$7.4500
    • 270:$6.8000
    • 510:$6.2000
    • 1020:$5.9200
    IXFH30N40Q
    DISTI # 7347928    		IXYS Corporation 
    RoHS: Compliant    		0
    • 2500:$6.7500
    • 1000:$7.0900
    • 250:$7.3300
    • 500:$7.3300
    • 100:$7.7300
    • 25:$8.0200
    • 10:$8.8600
    • 1:$9.4500
    Bild Teil # Beschreibung
    IXFH340N075T2

    Mfr.#: IXFH340N075T2

    OMO.#: OMO-IXFH340N075T2

    		 MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
    IXFH320N10T2

    Mfr.#: IXFH320N10T2

    OMO.#: OMO-IXFH320N10T2

    		 MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
    IXFH34N50P3

    Mfr.#: IXFH34N50P3

    OMO.#: OMO-IXFH34N50P3

    		 MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
    IXFH30N60X

    Mfr.#: IXFH30N60X

    OMO.#: OMO-IXFH30N60X

    		 MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
    IXFH32N500Q

    Mfr.#: IXFH32N500Q

    OMO.#: OMO-IXFH32N500Q-1190

    		 Neu und Original
    IXFH32N100X

    Mfr.#: IXFH32N100X

    OMO.#: OMO-IXFH32N100X-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET 1KV 32A ULTRA JCT TO-247
    IXFH30N50Q3

    Mfr.#: IXFH30N50Q3

    OMO.#: OMO-IXFH30N50Q3-IXYS-CORPORATION

    		 Darlington Transistors MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
    IXFH36N50P

    Mfr.#: IXFH36N50P

    OMO.#: OMO-IXFH36N50P-IXYS-CORPORATION

    		 Darlington Transistors MOSFET 500V 36A
    IXFH30N50

    Mfr.#: IXFH30N50

    OMO.#: OMO-IXFH30N50-IXYS-CORPORATION

    		 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
    IXFH30N60P

    Mfr.#: IXFH30N60P

    OMO.#: OMO-IXFH30N60P-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Transistors MOSFET 600V 30A
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5500
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    Der aktuelle Preis von IXFH30N40Q dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    30
    8,20 $
    246,00 $
    60
    7,62 $
    457,20 $
    120
    7,45 $
    894,00 $
    270
    6,80 $
    1 836,00 $
    510
    6,20 $
    3 162,00 $
    1020
    5,92 $
    6 038,40 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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