DF23MR12W1M1B11BPSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

SiC-Leistungs-MOSFET

Vf - Durchlassspannung:

4.6 V

Vr - Sperrspannung:

1200 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 10 V, 20 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

AG-EASY1BM-2

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Tablett

Aufbau:

Dual

Marke:

Infineon-Technologien

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

12.8 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

66 mOhms

Anstiegszeit:

7.2 ns

Werkspackungsmenge:

24

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.3 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1200 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.45 V

Teil # Aliase:

SP003094744

Tags

DF23, DF2