IXFQ14N80P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

400 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Länge:

15.8 mm

Serie:

IXFQ14N80

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.9 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

62 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Gewichtseinheit:

0.194007 oz

Tags

IXFQ14, IXFQ1, IXFQ, IXF