MPS6601G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

5.33 mm (Max)

Länge:

5.2 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.19 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MPS6601, MPS660, MPS66, MPS6, MPS