CSD85301Q2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WSON-FET-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

27 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

5.4 nC, 5.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Serie:

CSD85301Q2

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 S, 20 S

Abfallzeit:

15 ns, 15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns, 26 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns, 14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 6 ns

Gewichtseinheit:

0.000342 oz

Tags

CSD8530, CSD85, CSD8, CSD