IXTR32P60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

385 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

196 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

310 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

IXTR32P60

Typ:

PolarP Leistungs-MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Gewichtseinheit:

0.186952 oz

Tags

IXTR3, IXTR, IXT