PHB33NQ20T,118

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

77 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

230 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.5 mm

Länge:

10.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.4 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

/T3 PHB33NQ20T

Tags

PHB33, PHB3, PHB