STB34N50DM2AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

26 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

44 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

190 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

MDmesh

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.6 mm

Länge:

10.4 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

STB34N50DM2AG

Typ:

Hochspannung

Breite:

9.35 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

8.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19.5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STB34, STB3, STB