FMMT549ATA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 35 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 500 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FMMT54

DC-Stromverstärkung hFE Max:

70 at 50 mA, 2 V

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

70 at 50 mA, 2 V, 80 at 1 A, 2 V, 40 at 2 A, 2 V, 150 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

FMMT549AT, FMMT549A, FMMT549, FMMT54, FMMT5, FMMT, FMM