IPN95R3K7P7ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

950 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Serie:

P7

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

46 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Teil # Aliase:

IPN95R3K7P7

Tags

IPN95, IPN9, IPN