MJE521G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-225-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

11.04 mm (Max)

Länge:

7.74 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.66 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

40 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

MJE52, MJE5, MJE