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T2G6001528-SG

T2G6001528-SG
Mfr. #:
T2G6001528-SG
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T2G6001528-SG Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
T2G6001528-SG Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
15 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
5 A
Ausgangsleistung:
17 W
Pd - Verlustleistung:
28 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
6 GHz
Serie:
T2G
Marke:
Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1113256
Tags
T2G6001528-S, T2G6001, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC- 6 GHz, 15 W, 15 dB, 28 V, GaN
*** Services
CoC and 2-years warranty / RFQ for pricing
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T2G6001528-SG
DISTI # 772-T2G6001528-SG		QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant		65
  • 1:$105.7500
  • 25:$95.4400
T2G6001528-SG-EVB
DISTI # 772-T2G6001528SGEVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
HMC1119LP4ME

Mfr.#: HMC1119LP4ME

OMO.#: OMO-HMC1119LP4ME

 Attenuators 7-bit 0.1-6Ghz DATT
GRF5115

Mfr.#: GRF5115

OMO.#: OMO-GRF5115

 RF Amplifier .1-2.7GHz GaAs Gain 14.4dB
GRF2105

Mfr.#: GRF2105

OMO.#: OMO-GRF2105

 RF Amplifier .4-5GHz NF .77dB OP1dB 22.5dBm
ADRF6520ACPZ

Mfr.#: ADRF6520ACPZ

OMO.#: OMO-ADRF6520ACPZ

 RF Amplifier E-Band/V-Band Baseband Prog Filters & VG
LTC5562IUC#TRMPBF

Mfr.#: LTC5562IUC#TRMPBF

OMO.#: OMO-LTC5562IUC-TRMPBF

 RF Mixer LF-7GHz Low-Power, Wideband Active Mixer
SKY16601-555LF

Mfr.#: SKY16601-555LF

OMO.#: OMO-SKY16601-555LF

 PIN Diodes .5-6.0GHz IL .1dB RL 27.5dB Pin 29dBm
CGHV40200PP

Mfr.#: CGHV40200PP

OMO.#: OMO-CGHV40200PP

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
TPS27S100BPWPR

Mfr.#: TPS27S100BPWPR

OMO.#: OMO-TPS27S100BPWPR

 Power Switch ICs - Power Distribution PRODUCT SPIN OF TPS1H100B
ADP7158ACPZ-3.3-R7

Mfr.#: ADP7158ACPZ-3.3-R7

OMO.#: OMO-ADP7158ACPZ-3-3-R7

 LDO Voltage Regulators 3.3/5Vin 2A Ultra Low Noise LDO Fixed
TPS27S100BPWPR

Mfr.#: TPS27S100BPWPR

OMO.#: OMO-TPS27S100BPWPR-TEXAS-INSTRUMENTS

 PRODUCT SPIN OF TPS1H100B
Verfügbarkeit
Aktie:
146
Auf Bestellung:
2129
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
105,75 $
105,75 $
25
95,44 $
2 386,00 $
100
86,13 $
8 613,00 $
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