OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

FDMD8630

FDMD8630
Mfr. #:
FDMD8630
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET FET 30V 167A 1.0 mOhm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDMD8630 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
Power-56-8
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
167 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
142 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
43 W
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
281 S
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
15 ns
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
14 ns
Gewichtseinheit:
0.003455 oz
Tags
FDMD86, FDMD, FDM
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***el Electronic
ISL28194 Series 1.8 - 5.5 V 3.5 kHz 2 mV RRIO Operational Amplifier - SOT-23-6
***emi
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 167 A, 1.0 mΩ
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 167A I(D), 30V, 0.001ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
***rchild Semiconductor
This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small footprint (5 x 6 mm) for higher power density.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDMD8630
DISTI # V36:1790_21690180		ON SemiconductorDual N-Channel Power Trench MOSFET0
  • 3000000:$2.7270
  • 1500000:$2.7290
  • 300000:$2.8720
  • 30000:$3.1040
  • 3000:$3.1420
FDMD8630
DISTI # FDMD8630-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
RoHS: Not compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$3.1421
FDMD8630
DISTI # FDMD8630		ON SemiconductorTrans MOSFET Array N-CH 30V 167A 8-Pin PQFN - Tape and Reel (Alt: FDMD8630)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$2.6900
  • 12000:$2.7900
  • 18000:$2.7900
  • 3000:$2.8900
  • 6000:$2.8900
FDMD8630
DISTI # 65AC4698		ON SemiconductorFDMD86300
  • 500:$2.9300
  • 250:$3.0200
  • 100:$3.6000
  • 50:$4.1700
  • 25:$4.4400
  • 10:$5.0700
  • 1:$5.8500
FDMD8630
DISTI # 863-FDMD8630		ON SemiconductorMOSFET FET 30V 167A 1.0 mOhm
RoHS: Compliant		0
  • 1:$5.9500
  • 10:$5.0600
  • 100:$4.3800
  • 250:$4.1600
  • 500:$3.7300
  • 1000:$3.1500
  • 3000:$2.9900
Bild Teil # Beschreibung
FDMD8530

Mfr.#: FDMD8530

OMO.#: OMO-FDMD8530

 MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMD8260LET60

Mfr.#: FDMD8260LET60

OMO.#: OMO-FDMD8260LET60

 MOSFET 60V/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
FDMD8240L

Mfr.#: FDMD8240L

OMO.#: OMO-FDMD8240L

 MOSFET PT8 N-ch40VLLDualNch PowerTrench MOSFET
FDMD86100

Mfr.#: FDMD86100

OMO.#: OMO-FDMD86100

 MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
FDMD8260L

Mfr.#: FDMD8260L

OMO.#: OMO-FDMD8260L

 MOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
FDMD8280

Mfr.#: FDMD8280

OMO.#: OMO-FDMD8280

 MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
FDMD82100L

Mfr.#: FDMD82100L

OMO.#: OMO-FDMD82100L-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
FDMD8260LET60

Mfr.#: FDMD8260LET60

OMO.#: OMO-FDMD8260LET60-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 60V 15A
FDMD8240LET40

Mfr.#: FDMD8240LET40

OMO.#: OMO-FDMD8240LET40-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
FDMD8540L

Mfr.#: FDMD8540L

OMO.#: OMO-FDMD8540L-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von FDMD8630 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
5,95 $
5,95 $
10
5,06 $
50,60 $
100
4,38 $
438,00 $
250
4,16 $
1 040,00 $
500
3,73 $
1 865,00 $
1000
3,15 $
3 150,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Top