BSO615CGHUMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.1 A, 2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms, 190 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V, 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

22.5 nC, 20 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

BSO615

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.25 S, 1.2 S

Abfallzeit:

18 ns, 90 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

75 ns, 105 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns, 125 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 24 ns

Teil # Aliase:

BSO615C BSO615CGXT G SP000216311

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO615CG, BSO615C, BSO615, BSO61, BSO6, BSO