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TSM650N15CR RLG

TSM650N15CR RLG
Mfr. #:
TSM650N15CR RLG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 150V, 24A, Single N- Channel Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TSM650N15CR RLG Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TSM650N15CR RLG DatasheetTSM650N15CR RLG Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Taiwan Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
PDFN56-8
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
24 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Qg - Gate-Ladung:
36 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
96 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Taiwan Halbleiter
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
11 S
Abfallzeit:
4.8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
6.4 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
19.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
9.4 ns
Tags
TSM650, TSM65, TSM6, TSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Transistor MOSFET N-CH 150V 24A 8-Pin PDFN56 Plastic T/R
***ical
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PDFN EP T/R
***ukat
N-Ch 150V 24A 96W 0,065R PDFN56
***i-Key
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
Bild Teil # Beschreibung
MCP601T-I/OT

Mfr.#: MCP601T-I/OT

OMO.#: OMO-MCP601T-I-OT

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 LDO Voltage Regulators 250mA Ultra-Lo Noise LDO Reg
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1987
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1
1,43 $
1,43 $
10
1,27 $
12,70 $
100
1,00 $
100,00 $
500
0,78 $
388,00 $
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0,61 $
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