2N6126

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

PNP

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

2.5 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N6126

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.45 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

7 at 4 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

40 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N6126 PBFREE

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

2N612, 2N61, 2N6