ALD1105PBL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

81 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.7 mm

Länge:

9.25 mm

Serie:

CSD18535KTT

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

10.26

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

263 S

Abfallzeit:

3 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Tags

ALD110, ALD11, ALD1, ALD