2SC5729T106R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 50 mA, 2 V

Höhe:

0.8 mm

Länge:

2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.25 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000988 oz

Tags

2SC5729, 2SC572, 2SC57, 2SC5, 2SC